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专利名称：存储器单元、集成结构及存储器阵列专利类型：发明专利
发明人：C·M·卡尔森,M·J·巴克利申请号：CN201780083448.6申请日：20171229公开号：CN110178223A公开日：20190827
摘要：一些实施例包含一种存储器单元，其依以下顺序具有控制栅极、电荷阻挡材料、电荷捕获材料、第一氧化物、电荷通路结构、第二氧化物及沟道材料。所述电荷通路结构具有夹置于第一区域与第二区域之间的中心区域。所述中心区域具有低于所述第一及第二区域的捕获电荷机率及/或低于所述第一及第二区域的捕获电荷速率。一些实施例包含一种集成结构，其具有交替的导电层级及绝缘层级的竖直堆叠且具有沿着所述竖直堆叠竖直延伸的电荷通路结构。一些实施例包含一种NAND存储器阵列，其具有交替的绝缘层级及字线层级的竖直堆叠，且具有沿着所述竖直堆叠竖直延伸的电荷通路结构。
申请人：美光科技公司
地址：美国爱达荷州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：王龙
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